Book/Report

FZJ-2019-01457

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Silizium-MSM-Photodetektor mit integriertem Wellenleiter : Herstellung und elektrooptische Charakterisierung

Kim, J. (Corresponding author)FZJ*

1996
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/21647

Report No.: Juel-3233

Abstract: Ziel dieser Arbeit war die Entwicklung eines Silizium-kompatiblen, schnellen Photodetektors, der an einen optischen Wellenleiter gekoppelt ist. Diese anspruchsvolleAufgabe erfordert eine Reihe an Depositions- und Strukturierungsverfahren, sowie den Einsatz ganz unterschiedlicher physikalischer Meß- und Charakterisierungstechniken. Die Arbeit bescheibt das Vorgehen und die Ergebnisse der vielfältigen Untersuchungen, die zum Teil in Zusammenarbeit mit spezialisierten Kollegen im Institut für Schicht- und Ionentechnik durchgeführt worden sind. $\textbf{1. Herstellung und Charakterisierung der Si/CoSi$_{2}$/Si(100)-Heterostruktur}$ Für eine neue, rechnergesteuerte MBE (Molekularstrahlepitaxie)-Anlage wurden zunächst Parameter für eine gezielte Antimon-Dotierung des Siliziums mit Hilfe von SIMS (secondary ion mass spectroscopy) und CV-Profiler-Messungen bestimmt. Dann wurde die Si/CoSi$_{2}$/Si(100)-Heterostruktur mittels Allotaxie in der MBE-Anlage hergestellt und in einem RTA (rapid thermal annealing)-Ofen getempert. Die Leitfähigkeit der CoSi$_{2}$-Schichten und die Schichtqualität der Heterostruktur wurden durch systematische Variation der Allotaxieparameter optimiert. Für die Charakterisierung der Schichten wurden elektrische und strukturelle Untersuchungsmethoden herangezogen. Widerstandsmessungen nach van der Pauw und Untersuchungen mit Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Rutherford-Rückstreuspektroskopie (RBS) ergaben in konsistener Weise, daß sich die Schichteigenschaften durch höhere Tempertemperaturen verbessert. Eine bemerkenswerte Steigerung der Schichtqualität wird durch einen zusätzlichen Temperschritt in der MBE-Anlage erzielt. Die CoSi$_{2}$-Schichten weisen einen sehr geringen Widerstand von 12 $\mu \Omega$cm auf. TEM-Aufnahmen zeigen glatte Schichten und scharfe Grenzflächen. Bei RBS-Untersuchungen wurde ein gutes Channeling im Silizium mit einem minimum yield von 4.5 % erzielt, das für eine gute Kristallqualität spricht. $\textbf{2. Strukturierung und elektrische Charakterisierung des Photodetektors mit integriertem Wellenleiter}$ [...]

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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